植杉克弘: "STM observation of Ar ion bombarded Si(001) surfaces and regrowth processes by thermal annealing" Japanese Journal of Applied Physics. 32. 6203-6205 (1993)
植杉克弘: "STM observation of Ar ion bombarded Si(001) surfaces and regrowth processes by thermal annealing" Japanese Journal of Applied Physics. 32. 6203-6205 (1993)
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Katsuhiro Uesugi：“STM 观察 Ar 离子轰击 Si(001) 表面和通过热退火进行的再生长过程”《日本应用物理学杂志》32. 6203-6205 (1993)。
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