K. Saito, M. Matsuda, M. Yasutake, T. Hattori: "Electron Tunneling through Chemical Oxide of Silicon" Japanese Journal of Applied Physics. 34. L609-L611 (1995)

K. Saito, M. Matsuda, M. Yasutake, T. Hattori: "Electron Tunneling through Chemical Oxide of Silicon" Japanese Journal of Applied Physics. 34. L609-L611 (1995)
复制标题

K. Saito、M. Matsuda、M. Yasutake、T. Hattori:“通过硅化学氧化物的电子隧道”日本应用物理学杂志。

DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
--
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:

文献摘要

相似文献