Monolithic 3D IC vs. TSV-based 3D IC in 14nm FinFET technology

Monolithic 3D IC vs. TSV-based 3D IC in 14nm FinFET technology
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14nm FinFET 技术中的单片 3D IC 与基于 TSV 的 3D IC

DOI：
10.1109/s3s.2016.7804405
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发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S)
影响因子：
--
通讯作者：
S. Lim
S. Lim
中科院分区：
--
文献类型：
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作者：
S. Samal;D. Nayak;M. Ichihashi;S. Banna;S. Lim

文献摘要

被引文献

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在本文中，我们使用硅验证的14NM FinFET Foundry技术和商业质量设计对2D IC，Monolithic 3D IC和基于TSV的3D IC进行了全面的设计比较。通过使用商业级工具的全芯片布局和登录分析，通过对基于TSV的3D ICS和2D IC的功率，性能和面积进行了整体3D IC的潜力。
In this paper, we conduct a comprehensive design comparison of 2D ICs, monolithic 3D ICs and TSV-based 3D ICs using a silicon-validated 14nm FinFET foundry technology and commercial quality designs. Through full-chip layouts and sign-off analysis using commercial-grade tools, the potential of monolithic 3D IC is explored and validated in terms of power, performance and area against that of TSV-based 3D ICs and 2D ICs.