Vacancy-type defects in ultra-shallow junctions fabricated using plasma doping studied by positron annihilation
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通过正电子湮灭研究使用等离子体掺杂制造的超浅结中的空位型缺陷
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Iwai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Uedono;K.Tsutsui;S.Ishibashi;H.Watanabe;S.Kubota;K.Tenjinbayashi1;Y.Nakagawa;B.Mizuno;T.Hattori;H.Iwai
