La-based oxides for High-k Gate Dielectric Application
La-based oxides for High-k Gate Dielectric Application
复制标题
用于高 k 栅极电介质应用的 La 基氧化物
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Iwai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Ahmet;K. Kakushima;K. Tsutsui;N. Sugii;T. Hattori;H. Iwai
