Control of full width at half maximum of Coulomb oscillation in silicon single-hole transistors at room temperature
Control of full width at half maximum of Coulomb oscillation in silicon single-hole transistors at room temperature
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室温下硅单孔晶体管库仑振荡半峰全宽的控制
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kousuke Miyaji;Toshiro Hiramoto
