K.Fujinaga: "Great reduction of Ge surface contamination in Si/SiGe heteroepitaxy using an ultraclean LPCVD system."The Electrochem.Soc.Proc.. Vol.96-5. 318-323 (1969)
K.Fujinaga: "Great reduction of Ge surface contamination in Si/SiGe heteroepitaxy using an ultraclean LPCVD system."The Electrochem.Soc.Proc.. Vol.96-5. 318-323 (1969)
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K.Fujinaga：“使用超净 LPCVD 系统大大减少了 Si/SiGe 异质外延中的 Ge 表面污染。”Electrochem.Soc.Proc. 第 96-5 卷。
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