Improvement of Thickness Uniformity of SOI Layer by Numerically Controlled Sacrificial Oxidation Using Atmospheric Pressure Plasma
Improvement of Thickness Uniformity of SOI Layer by Numerically Controlled Sacrificial Oxidation Using Atmospheric Pressure Plasma
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利用大气压等离子体数控牺牲氧化改善 SOI 层厚度均匀性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shohei Kamisaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高奈秀匡;他;水谷公一;水谷公一;水谷 公一;R. Murakami;R. Murakami;R. Murakami;村上 理一;村上 理一;Shohei Kamisaka;Shohei Kamisaka;Shohei Kamisaka;Shohei Kamisaka
