T.Tsuchiya et al.: "Direct Measurements of Trap Density in a SiGe/Si Hetero-Interface and Correlation Between the Trap Density and Low-Frequency Noise in SiGe-Channel pMOSFETs"IEEE Trans.Electron Devices. Vol.50,No.12. 2507-2512 (2003)
T.Tsuchiya et al.: "Direct Measurements of Trap Density in a SiGe/Si Hetero-Interface and Correlation Between the Trap Density and Low-Frequency Noise in SiGe-Channel pMOSFETs"IEEE Trans.Electron Devices. Vol.50,No.12. 2507-2512 (2003)
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T.Tsuchiya 等人：“SiGe/Si 异质接口中陷阱密度的直接测量以及 SiGe 通道 pMOSFET 中陷阱密度与低频噪声之间的相关性”IEEE Trans.Electron Devices。
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