Titania–germanium nanocomposite for photo-thermo-electric application
Titania–germanium nanocomposite for photo-thermo-electric application
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DOI：
10.1088/0957-4484/19/26/265701
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发表时间：
2008-07
期刊：
影响因子：
3.5
通讯作者：
S. Chatterjee
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Chatterjee
将锗 (Ge) 引入二氧化钛 (TiO2) 中可创造出一种极具吸引力的半导体。这种新型半导体被命名为二氧化钛-锗（TiO2-Ge）。 Ge 点分散在 TiO2-Ge 的扭曲 TiO2 基体中。 Ge的量子玻尔半径为24.3 nm，因此，由于量子限制效应（QCE），如果Ge点小于其玻尔半径，则可以通过调整其尺寸来改变Ge点的性质。因此，只需改变Ge浓度，TiO2-Ge的形貌就可以在很宽的范围内变化。因此，TiO2-Ge 的光学、电子和热性能都可以定制。 TiO2-Ge 成为下一代光伏和热电设备的有前途的材料。它还可用于光热电应用。
The introduction of germanium (Ge) into titania (TiO2) creates an attractive semiconductor. The new semiconductor is named titania–germanium (TiO2–Ge). Ge dots are dispersed in the distorted TiO2 matrix of TiO2–Ge. The quantum Bohr radius of Ge is 24.3 nm, and hence the properties of the Ge dot can be varied by tailoring its size if it is smaller than its Bohr radius due to the quantum confinement effect (QCE). Therefore, simply by changing the Ge concentration, the morphology of TiO2–Ge can be varied within a wide range. Consequently, the optical, electronic and thermal properties of TiO2–Ge can be tailored. TiO2–Ge becomes a promising material for the next generation of photovoltaics as well as thermoelectric devices. It could also be used for photo-thermo-electric applications.