Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing High Ge Fraction (x>0.5) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure with Improved Performance at Higher Temperature above 200K
Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing High Ge Fraction (x>0.5) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure with Improved Performance at Higher Temperature above 200K
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采用高 Ge 分数 (x>0.5) Si/应变 Si_<1-x>Ge_x/Si(100) 异质结构的空穴谐振隧道二极管，在 200K 以上的高温下具有改进的性能
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Murota
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Takahashi;T. Seo;M. Sakuraba;J. Murota
