Tungsten Etching in CF 4 and SF 6 Discharges
Tungsten Etching in CF 4 and SF 6 Discharges
复制标题
CF 4 和 SF 6 放电中的钨蚀刻
DOI：
10.1149/1.2115489
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发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
D. Hess
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Tang;D. Hess
在存在氧气的情况下，将血浆用于荧光成分中的放电。氧气对葡萄生长的影响。VLSI制造应用
Usinage par plasma par des decharges dans des composes fluores en presence d'oxygene. Influence de l'oxygene sur la vitesse d'attaque. Application a la fabrication de VLSI