Optically Active Defect Centres in Silicon Carbide Devices
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碳化硅器件中的光学活性缺陷中心
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Karle and J. C. McCallum
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B.C. Johnson;N. Iwamoto;S. Castelletto;S. Onoda;T. Ohshima;T. Karle and J. C. McCallum
