Four-terminal Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT with a High-k Bottom-gate Dielectric
Four-terminal Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT with a High-k Bottom-gate Dielectric
复制标题
具有高 k 底栅电介质的四端子 Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT
DOI：
10.23919/am-fpd.2019.8830606
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ryo Miyazaki and Akito Hara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hara Akito;Suzuki Hitoshi;Utsumi Hiroki;Miyazaki Ryo;Kitahara Kuninori;Ryo Miyazaki and Akito Hara
