Mobility Enhancement and Gate-Induced-Drain-Leakage Analysis of Strained-SiGe Channel p-MOSFETs with Higher-kappa LaLuO3 Gate Dielectric
Mobility Enhancement and Gate-Induced-Drain-Leakage Analysis of Strained-SiGe Channel p-MOSFETs with Higher-kappa LaLuO3 Gate Dielectric
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具有更高 kappa LaLuO3 栅极电介质的应变 SiGe 通道 p-MOSFET 的迁移率增强和栅极感应漏极泄漏分析
DOI：
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发表时间：
2014
影响因子：
3.5
通讯作者：
Zhao Qing-Tai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Liu Chang;Xue Zhong-Ying;Chen Ming;Zhao Qing-Tai
