High-pressure Raman study of Ba deped type III silicon clathrate Ba24Si100 up to 27 GPa
High-pressure Raman study of Ba deped type III silicon clathrate Ba24Si100 up to 27 GPa
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Ba 依赖的 III 型硅包合物 Ba24Si100 高达 27 GPa 的高压拉曼研究
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Shimizu et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Mitsumori;A.Oiwa;T.Slupinsi;H.Maruki;Y.Kashimua;F.Minami;H.Munekata;H.Shimizu et al.
