Semiconductor properties of nitrogen-doped hydrogenated amorphous carbon fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition method
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等离子体增强化学气相沉积法制备氮掺杂氢化非晶碳的半导体性能
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.Honda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kondo;A. Ashida;N. Nouzu;N. Fujimura;K.Honda
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无定形氢化碳中的 EPR 线宽变化、自旋弛豫时间和交换
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Barklie;M. Collins;S. Silva
通讯作者：
S. Silva
逐层法制备非晶氮化碳a-CN x 薄膜的光电导和光致发光
DOI：
10.1557/proc-593-499
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Katsuno;S. Nitta;Hitoe Habuchi;T. Iwasaki;T. Itoh;S. Nonomura
通讯作者：
S. Nonomura
氢化非晶碳薄膜缺陷的 EPR 研究
DOI：
10.1016/s0925-9635(97)00315-4
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Barklie;M. Collins;J. Cunniffe;S. Silva
通讯作者：
S. Silva
射频功率对射频等离子体增强化学气相沉积生长的氢化非晶碳薄膜性能的影响。
影响因子：
1.5
作者：
Y. Hayashi;K. Hagimoto;H. Ebisu;Murali Krishna Kalaga;T. Soga;M. Umeno;T. Jimbo
通讯作者：
T. Jimbo
四面体无定形碳中的顺磁中心
DOI：
10.1016/s0925-9635(96)00670-x
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Fusco;A. Tagliaferro;W. Milne;J. Robertson
通讯作者：
J. Robertson