歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性
歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性
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应变 Si/松弛 SiGe/Si(110) 异质结构 p-MOSFET 中场效应迁移率对应变 Si 膜厚度的依赖性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
有元 圭介
中科院分区：
文献类型：
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作者：
藤澤 泰輔;各川 敦史;浪内 大地;斎藤 慎吾;佐野 雄一;泉 大輔;山中 淳二;原 康祐;澤野 憲太郎;中川 清和;有元 圭介
