ICP etching for InAs-based InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared detectors
ICP etching for InAs-based InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared detectors
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用于 InAs 基 InAs/GaAsSb 超晶格长波红外探测器的 ICP 蚀刻
DOI：
10.1016/j.infrared.2018.03.003
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发表时间：
2018
影响因子：
3.3
通讯作者：
He Li
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Huang Min;Chen Jianxin;Xu Jiajia;Wang Fangfang;Xu Zhicheng;He Li
