11?Gb/s 140?GHz OOK modulator with 24.6?dB isolation utilising cascaded switch and amplifier‐based stages in 65?nm bulk CMOS
11?Gb/s 140?GHz OOK modulator with 24.6?dB isolation utilising cascaded switch and amplifier‐based stages in 65?nm bulk CMOS
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11?Gb/s 140?GHz OOK 调制器，具有 24.6?dB 隔离度，采用 65?nm 体 CMOS 中的级联开关和基于放大器的级
DOI：
10.1049/iet-cds.2019.0377
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Iizuka Tetsuya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yamazaki Daisuke;Otsuki Yoshitaka;Hara Takafumi;Khanh Nguyen Ngoc Mai;Iizuka Tetsuya
本研究提出了一种基于开关和放大器调制器级联结构的140 GHz互补金属氧化物半导体（CMOS）开关键控（OOK）调制器，具有高隔离性和低开状态插入损耗。在65nm块体CMOS工艺中实现的原型在140 GHz载波输入下工作，实现24.6 dB隔离，而在ON状态下，它实现0.3 dB增益和- 0.2 dBm OP1 dB，功耗为8 mW。通过频谱和解调波形测量验证了高达11 Gb/s的调制。该OOK调制器的核心面积为250×380 μm2。
This study presents a complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) 140 GHz on–off‐keying (OOK) modulator with high isolation and low ON‐state insertion loss based on a cascaded architecture of a switch‐based and amplifier‐based modulators. A prototype implemented in a 65 nm bulk CMOS process operates at 140 GHz carrier input and realises 24.6 dB isolation, whereas in ON‐state it achieves 0.3 dB gain and −0.2 dBm OP1 dB with 8 mW power consumption. Up to 11 Gb/s modulation is verified with the spectrum and demodulated waveform measurements. The proposed OOK modulator occupies the core area of 250×380 μm2.