Switching Trajectory Control of SiC MOSFET Based on I-V Characteristics Using Digital Active Gate Driver
Switching Trajectory Control of SiC MOSFET Based on I-V Characteristics Using Digital Active Gate Driver
复制标题
使用数字有源栅极驱动器基于 I-V 特性的 SiC MOSFET 开关轨迹控制
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and Takashi Hikihara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hajime Takayama;Shuhei Fukunaga;and Takashi Hikihara
