Growth of GaN on SiC/Si substrates using MN buffer layer by hot-mesh CVD
Growth of GaN on SiC/Si substrates using MN buffer layer by hot-mesh CVD
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通过热网 CVD 使用 MN 缓冲层在 SiC/Si 衬底上生长 GaN
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et.al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takashi Ito;et.al.
