Characterization of peripheries of n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy
Characterization of peripheries of n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy
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使用扫描内部光电显微镜表征 n-GaN 肖特基接触的外围
DOI：
10.35848/1347-4065/ac8d6f
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发表时间：
2022
影响因子：
1.5
通讯作者：
Shiojima Kenji
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Imabayashi Hiroki;Yasui Yuto;Horikiri Fumimasa;Narita Yoshinobu;Fukuhara Noboru;Mishima Tomoyoshi;Shiojima Kenji
