3端子容量-電圧測定で調べたペンタセン有機電界効果トランジスタのチャネル形成過程: Gradual Channel Approximationの検証
3端子容量-電圧測定で調べたペンタセン有機電界効果トランジスタのチャネル形成過程: Gradual Channel Approximationの検証
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通过三端电容电压测量研究并五苯有机场效应晶体管的沟道形成过程：渐进沟道近似的验证
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石井 久夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
田中 有弥，野口 裕、Wolfgang Bruetting;石井 久夫
