"Atomically flat planarization of Ge(100), (110), and (111) surfaces in H2 annealing. "
"Atomically flat planarization of Ge(100), (110), and (111) surfaces in H2 annealing. "
复制标题
“H2 退火中 Ge(100)、(110) 和 (111) 表面的原子平坦化。”
DOI：
10.7567/apex.7.051301
复制
发表时间：
2014
影响因子：
2.3
通讯作者：
and Akira Toriumi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tomonori Nishimura;Shoichi Kabuyanagi;Wenfeng Zhang;Choong Hyun Lee;Takeaki Yajima;Kosuke Nagashio;and Akira Toriumi
