Characterization of 4H-SiC MOSFETs Formed on the Different Trench Sidewalls
Characterization of 4H-SiC MOSFETs Formed on the Different Trench Sidewalls
复制标题
不同沟槽侧壁上形成的 4H-SiC MOSFET 的特性
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Nakao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M.Hayashibe;N.Suzuki;N.Nakata;A.Hattori;K.Konishi;M.Hashizume;奥井登志子;井上昌睦 他;K.Koyanagi et al.;M.Inoue et al.;S.Koyanagi et al.;Hiroyuki Naoi;H.Yano;H.Yano;D.Takeda;H.Mikami;H.Nakao
