Fabrication of Ge・SiC nanodots capped with Si and SiC layers
Fabrication of Ge・SiC nanodots capped with Si and SiC layers
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覆盖有 Si 和 SiC 层的 Ge·SiC 纳米点的制备
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Akahane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kanji Yasui;H. Suto;T. Kuroda;A. Kato;H. Nishiyama;Y. Inoue;M. Takata;T. Akahane
