A CMOS four-channel*1K time memory LSI with 1-ns/b resolution
A CMOS four-channel*1K time memory LSI with 1-ns/b resolution
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分辨率为1ns/b的CMOS四通道*1K时间存储器LSI
DOI：
10.1109/4.121558
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发表时间：
1992
影响因子：
5.4
通讯作者：
K. Endo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Arai;T. Matsumura;K. Endo
研制了一种四通道1024-B时间-数字转换器芯片，它以1 ns的间隔记录输入信号到存储单元。为了实现1 ns精度，该芯片集成了一个反馈稳定延迟元件。该芯片采用0.8 μ m CMOS工艺制作在5.0 mm × 5.6 mm的芯片上。在典型工作条件下，每通道功耗仅为7 mW。>
A four-channel 1024-b time-to-digital converter chip, which records input signals to memory cells at 1-ns intervals, has been developed. To achieve 1-ns precision, the chip incorporates a feedback stabilized delay element. The chip was fabricated on a 5.0-mm*5.6-mm die using 0.8- mu m CMOS technology. It dissipates only 7 mW/channel under typical operating conditions. >