Low-Temperature (≦300℃) Formation of Orientation-Controlled Large-Grain (≧10μm) Ge-Rich SiGe on Insulator by Gold-Induced Crystallization
Low-Temperature (≦300℃) Formation of Orientation-Controlled Large-Grain (≧10μm) Ge-Rich SiGe on Insulator by Gold-Induced Crystallization
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金诱导结晶在绝缘体上低温（≤300℃）形成定向控制的大晶粒（≥10μm）富Ge SiGe
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Miyao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Sadoh;J.-H. Park;R. Aoki;and M. Miyao
