原子層エピタキシー法を用いて意図的にNを制御したGaAsN膜中のN分布評価
原子層エピタキシー法を用いて意図的にNを制御したGaAsN膜中のN分布評価
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使用原子层外延方法评估有意控制 N 的 GaAsN 薄膜中的 N 分布
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鈴木 秀俊
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高木 俊作;河野 将大;中島 凌;鈴木 秀俊
