Proton radiation hardness of x-ray SOI pixel detectors with pinned depleted diode structure
Proton radiation hardness of x-ray SOI pixel detectors with pinned depleted diode structure
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具有钉扎耗尽二极管结构的 X 射线 SOI 像素探测器的质子辐射硬度
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Takeda 他18名
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Hayashida;T. Kohmura;K. Hagino;K. Oono;A. Takeda 他18名
