基于FDSOI的TFET和MOSFET总剂量效应仿真

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DOI:
10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.06.012
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发表时间:
2019
期刊:
半导体技术
影响因子:
--
通讯作者:
闵嘉华
闵嘉华
中科院分区:
其他
文献类型:
--
作者:
陈治西;刘强;任青华;刘晨鹤;赵兰天;俞文杰;闵嘉华

文献摘要

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