Characterization of interface states at Au/InSb/InP(100) Schottky barrier diodes as a function of frequency-猫眼课题宝

DOI：

10.1016/s0042-207x(00)00131-7

发表时间：

2000-05

期刊：

Vacuum

影响因子：

4

通讯作者：

中科院分区：

材料科学2区

文献类型：

--

作者：

B. Akkal;Z. Benamara;B. Gruzza;L. Bideux