Fabrication of InP/InGaAs Undoped Channel MOSFET with Selectively Regrown N+-InGaAs Source Region
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具有选择性再生长 N -InGaAs 源区的 InP/InGaAs 未掺杂沟道 MOSFET 的制造
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Kanazawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ibuki;T.;et al;T.Kanazawa
