Top-down Fabrication of Ge/Si core/shell Nanowire Channels for Vertical-type Field Effect Transistors.
Top-down Fabrication of Ge/Si core/shell Nanowire Channels for Vertical-type Field Effect Transistors.
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用于垂直型场效应晶体管的 Ge/Si 核/壳纳米线通道的自上而下制造。
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Naoki Fukata.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chao Le;Yonglie Sun;Wipakorn Jevasuwan;Naoki Fukata.
