Guiding principle of energy level controllability of silicon dangling bonds in HfSiON
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复制标题
HfSiON 中硅悬键能级可控性的指导原则
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.;Umezawa・K.;Shiraishi・S.;Miyazaki;et. al.
