Investigation of Degradation Mechanism in Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors under Negative Bias and Illumination Stress by Simulation
Investigation of Degradation Mechanism in Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors under Negative Bias and Illumination Stress by Simulation
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通过仿真研究负偏压和光照应力下非晶 InGaZnO 薄膜晶体管的退化机制
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Furuta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Wang;J. Jiang;M. P. Hung;T. Toda;C. Li;and M. Furuta
