Chemical etching of group III-V semiconductors

Chemical etching of group III-V semiconductors
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III-V族半导体的化学蚀刻

DOI：
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Mukherjee
D. Mukherjee
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
N. J. Kadhim;S. H. Laurie;D. Mukherjee

文献摘要

被引文献

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化学蚀刻基本上是一种用来选择性地从原始衬底上去除受控数量的材料的过程。刻蚀深度可以设计为几十埃或高达一埃。
Chemical etching is basically a process used to selectively remove controlled amounts of material from the original substrate. The etch depth can be designed to be just tens of angstroms or up to a...