Hidekazu Sato,Akira Izumi,and Hideki Matsumura: "Ultrathin silicon nitrde gate dielectrics prepared by catalytic chemical vapor deposition at low temparatures"Appl.Phys.Lett.. 77. 2752-2754 (2000)
Hidekazu Sato,Akira Izumi,and Hideki Matsumura: "Ultrathin silicon nitrde gate dielectrics prepared by catalytic chemical vapor deposition at low temparatures"Appl.Phys.Lett.. 77. 2752-2754 (2000)
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Hidekazu Sato、Akira Izumi 和 Hideki Matsumura：“低温催化化学气相沉积制备的超薄氮化硅栅极电介质”Appl.Phys.Lett.. 77. 2752-2754 (2000)
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