Time-domain calculations of shift currents in bulk GaAs
Time-domain calculations of shift currents in bulk GaAs
复制标题
DOI：
10.1117/12.2078123
复制
发表时间：
2015-03
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. Podzimski;H. T. Duc;T. Meier
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Podzimski;H. T. Duc;T. Meier
用微观模型计算和分析了体GaAs中的位移电流。我们的方法结合了k.p能带结构的计算与多子带布洛赫方程，并提供了一个透明的描述光学材料激发的产生和动力学。移位电流的描述需要将o谐振激励包括到分析中。除了勾勒我们的理论方法，数值结果的移位电流动力学的介绍和讨论。
Shift currents in bulk GaAs are computed and analyzed using a microscopic model. Our approach combines k.p band structure calculations with the multisubband Bloch equations and provides a transparent description of the generation and the dynamics of optical material excitations. The description of shift currents requires to include o-resonant excitations into the analysis. Besides sketching our theoretical approach, numerical results on the shift current dynamics are presented and discussed.