T. Sato: "Electrical Properties of Nanometer-Sized Schottky Contacts on n-GaAs and n-InP Formed by in situ Electrochemical Process"Japanese Journal Applied Physics. (in press). (2000)
T. Sato: "Electrical Properties of Nanometer-Sized Schottky Contacts on n-GaAs and n-InP Formed by in situ Electrochemical Process"Japanese Journal Applied Physics. (in press). (2000)
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T. Sato：“通过原位电化学过程形成的 n-GaAs 和 n-InP 上纳米尺寸肖特基接触的电特性”日本应用物理学杂志。
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