Carbon nanotube–polybithiophene photovoltaic devices with high open‐circuit voltage
Carbon nanotube–polybithiophene photovoltaic devices with high open‐circuit voltage
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高开路电压碳纳米管-聚联噻吩光伏器件
DOI：
10.1002/pssr.200600057
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
I. Hümmelgen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Patyk;B. Lomba;A. Nogueira;C. Furtado;A. P. Santos;Regina M. Q. Mello;L. Micaroni;I. Hümmelgen
我们报道了使用改性单壁碳纳米管（SWNT）制备光伏器件。器件堆叠在掺氟氧化锡、电化学沉积的聚联噻吩层、与聚（3-辛基噻吩）混合的 SWNT 层以及蒸发的顶部金属触点、Ca/Al 或 Al 的顶部。 Ca/Al顶电极器件在15.5 W m–2的辐照度下实现了1.81 V的开路电压和1.48%的平均功率转换效率，光谱分布遵循AM1.5。 （© 2007 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
We report the preparation of photovoltaic devices using modified single wall carbon nanotubes, SWNTs. Devices are produced stacking on top of fluorine‐doped tin‐oxide, an electrochemically deposited polybithiophene layer, a layer of SWNT blended with poly(3‐octylthiophene) and an evaporated top metal contact, Ca/Al or Al. Ca/Al‐top‐electrode devices achieve open‐circuit voltages of 1.81 V and average power conversion efficiency of 1.48% at irradiance of 15.5 W m–2, spectrally distributed following AM1.5. (© 2007 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)