イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について
イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について
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离子注入促进IV族半导体混晶薄膜应变弛豫的机理研究
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
財満鎭明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
祖父江秀隆;福田雅大;柴山茂久;中塚理;財満鎭明
