On-chip metal wire grid polarizer for CMOS image sensor based on 65-nm technology
On-chip metal wire grid polarizer for CMOS image sensor based on 65-nm technology
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DOI：
10.1364/cleo_si.2012.cm3m.7
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发表时间：
2012-05
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Sasagawa;K. Ando;H. Matsuoka;T. Kobayashi;T. Noda;T. Tokuda;J. Ohta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Sasagawa;K. Ando;H. Matsuoka;T. Kobayashi;T. Noda;T. Tokuda;J. Ohta
我们展示了互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器像素与片上偏振片制造的标准65纳米CMOS技术。在750 nm波长处达到94的消光比。
We demonstrate complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor pixels with on-chip polarizer fabricated by a standard 65-nm CMOS technology. The extinction ratio of 94 at a wavelength of 750 nm was achieved.