An Oscillatory Neural Network with Programmable Resistive Synapses in 28 nm CMOS
An Oscillatory Neural Network with Programmable Resistive Synapses in 28 nm CMOS
复制标题
28 nm CMOS 中具有可编程电阻突触的振荡神经网络
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Pileggi, L.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jackson, T.;Pagliarini, S.;Pileggi, L.
