Photoluminescence and far-infrared absorption in Si-doped self-organized InAs quantum dots
Photoluminescence and far-infrared absorption in Si-doped self-organized InAs quantum dots
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Si掺杂自组织InAs量子点的光致发光和远红外吸收
DOI：
10.1063/1.119347
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发表时间：
1997
影响因子：
4
通讯作者：
P. Bhattacharya
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Phillips;K. Kamath;Xiaoyu Zhou;N. Chervela;P. Bhattacharya
我们报道了直接掺杂的自组织InAs量子点的远红外吸收。光致发光光谱表明，随着掺杂量的增加，量子点的峰值强度会发生蓝移。利用傅里叶变换红外光谱仪对Al0.15Ga0.85As和GaAs作为势垒材料的量子点进行了远红外吸收测量，结果表明其吸收范围在13 ~ 18 μm之间。
We report far-infrared absorption in directly doped self-organized InAs quantum dots. Photoluminescence spectra demonstrate a blue shift in peak intensity for increasing doping in the quantum dots. Far-infrared absorption measurements using a Fourier transform infrared spectrometer show absorption in the range of 13–18 μm for quantum dots with Al0.15Ga0.85As and GaAs as the barrier material.
影响因子：
4
作者：
WEST, LC;EGLASH, SJ
通讯作者：
EGLASH, SJ