Linearity by Synthesis: An Intrinsically Linear AlGaN/GaN-on-Si Transistor with OIP3/(F-1)P DC of 10.1 at 30 GHz
Linearity by Synthesis: An Intrinsically Linear AlGaN/GaN-on-Si Transistor with OIP3/(F-1)P DC of 10.1 at 30 GHz
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综合线性度：本质线性 AlGaN/GaN-on-Si 晶体管，OIP3/(F-1)P DC 在 30 GHz 时为 10.1
DOI：
10.1109/drc50226.2020.9135184
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Dayeh, Shadi A.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Choi, Woojin;Balasubramanian, Venkatesh;Asbeck, Peter M.;Dayeh, Shadi A.
