Wataru SAITOH,et al: "Proposal and Analysis of Very Short Channel Field Effect Transistor Using Vertical Tunneling with New Heterostructures on Silicon" Japanese Journal of Applied Physics. 35[9A]. L1104-L1106 (1996)
Wataru SAITOH,et al: "Proposal and Analysis of Very Short Channel Field Effect Transistor Using Vertical Tunneling with New Heterostructures on Silicon" Japanese Journal of Applied Physics. 35[9A]. L1104-L1106 (1996)
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Wataru SAITOH 等人：“采用硅上新型异质结构垂直隧道技术的极短沟道场效应晶体管的建议和分析”日本应用物理学杂志。
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