Investigation of High Temperature Process for III-V/SOI Hybrid Photonic Devices with AlInAs Oxidation Current Confinement Layer
Investigation of High Temperature Process for III-V/SOI Hybrid Photonic Devices with AlInAs Oxidation Current Confinement Layer
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具有 AlInAs 氧化电流限制层的 III-V/SOI 混合光子器件高温工艺研究
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Arai,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Hayashi;J. Suzuki;Y. Kuno;J. Kang;T. Amemiya;N. Nishiyama;and S. Arai,
