Charge pumping by point defects –Towards ultimate control of recombination in silicon-
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复制标题
点缺陷电荷泵
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Ono and M. Hori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Watanabe;M. Hori;T. Saruwatari;A. Fujiwara;Y. Ono;Y. Ono and M. Hori
